SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

Код товара: 1320
Артикул: SKM100GB125DN
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
смотреть полные характеристики
20740,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус D-93
Наличие схем управления/защиты в составе модуля Нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Максимально допустимый импульсный ток э,А 400
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В 2.5
Температурный диапазон,С -40…150
Вес, г 160
МП-140, П36х25х9.7, Сердечник ферритовый кольцевой
наличие: шт
Код товара: 8760
Артикул: МП-140, П36х25х9.7
SKM150GAL12T4, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А
наличие: шт
Код товара: 10628
Артикул: SKM150GAL12T4
6390,00 ₽
В корзину