SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

Код товара: 1320
Артикул: SKM100GB125DN
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
смотреть полные характеристики
20740,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус D-93
Наличие схем управления/защиты в составе модуля Нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Максимально допустимый импульсный ток э,А 400
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В 2.5
Температурный диапазон,С -40…150
Вес, г 160
standard lid for MiniSKiiP II housing size 3, Крышка для SKIIP35NAB126V1
наличие: шт
Код товара: 1500
Артикул: standard lid for MiniSKiiP II housing size 3
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
наличие: шт
Код товара: 1348
Артикул: SKM100GB12T4
10990,00 
В корзину
SKM200GB12T4, Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin
наличие: шт
Код товара: 10827
Артикул: SKM200GB12T4
11000,00 
В корзину
CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В
наличие: шт
Код товара: 1932
Артикул: CM150DY-24T#300G
4080,00 
В корзину
CM300DY-13T#300G модуль IGBT (T серия, STD типа) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 4851
Артикул: CM300DY-13T#300G
46470,00 
В корзину
CM400DY-34T#300G, IGBT модуль T серия 400А 1700В
наличие: шт
Код товара: 1996
Артикул: CM400DY-34T#300G
15100,00 
В корзину