CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В

Код товара: 1932
Артикул: CM150DY-24T#300G
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Защита от перегрева нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
смотреть полные характеристики
4080,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Защита от перегрева нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
standard lid for MiniSKiiP II housing size 3, Крышка для SKIIP35NAB126V1
наличие: шт
Код товара: 1500
Артикул: standard lid for MiniSKiiP II housing size 3
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
наличие: шт
Код товара: 1348
Артикул: SKM100GB12T4
10990,00 
В корзину
SKM200GB12T4, Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin
наличие: шт
Код товара: 10827
Артикул: SKM200GB12T4
11000,00 
В корзину