SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

Код товара: 1348
Артикул: SKM100GB12T4
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 160
Рабочая температура (Tj), °C -40…+170
смотреть полные характеристики
10990,00 
наличие:
Выберите количество:
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices.
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 160
Рабочая температура (Tj), °C -40…+170
Корпус SEMITRANS 2
Вес, г 154
CM100MXA-24S 100A 1200В модуль IGBT (поколение NX6) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 4763
Артикул:
40380,00 
В корзину
SKM150GAL12T4, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А
наличие: шт
Код товара: 10628
Артикул: SKM150GAL12T4
6390,00 
В корзину