FF300R12KE4HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 460A 1600W 7-Pin 62MM-1 Tray

Код товара: 18123
Артикул: FF300R12KE4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Automotive Unknown
Channel Type N
Configuration Dual
ECCN (US) EAR99
смотреть полные характеристики
43850,00 
наличие:
Выберите количество:
Diodes, Transistors and ThyristorsIGBT TransistorsIGBT Module

Trans IGBT Module N-CH 1200V 460A 1600W 7-Pin 62MM-1 Tray

Основные параметры
Automotive Unknown
Channel Type N
Configuration Dual
ECCN (US) EAR99
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 1200
Maximum Continuous Collector Current (A) 460
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) 0.4
Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1600
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Screw
Packaging Tray
Part Status Active
PCB changed 7
Pin Count 7
PPAP Unknown
Supplier Package 62MM-1
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 1.75
Вес, г 359
GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50
наличие: шт
Код товара: 3756
Артикул: GD650HFX170P1S
27310,00 
В корзину
DFI600HF17I4RE2, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А, аналог для FF600R17ME4, = DFI600HF17I4RE1
наличие: шт
Код товара: 2990
Артикул: DFI600HF17I4RE2
17070,00 
В корзину
FF150R12RT4HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray
наличие: шт
Код товара: 17284
Артикул:
19070,00 
В корзину
FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
наличие: шт
Код товара: 7238
Артикул: FF200R12KT4HOSA1
10820,00 
В корзину