DFI600HF17I4RE2, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А, аналог для FF600R17ME4, = DFI600HF17I4RE1

Код товара: 2990
Артикул: DFI600HF17I4RE2
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
17070,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
кол-во в упаковке 10
Вес, г 394.2
М2000НМ, Ч18 (1 шт.), Сердечник ферритовый чашечный
наличие: шт
Код товара: 4142
Артикул: М2000НМ, Ч18 (1 шт.)
BLM18SP221SH1D, Феррит: бусина; Импед. 100МГц: 220Ом; SMD; 2,8А; 0603; R: 40мОм
наличие: шт
Код товара: 20544
Артикул: BLM18SP221SH1D
FF300R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А
наличие: шт
Код товара: 7293
Артикул: FF300R12KT4HOSA1
14800,00 
В корзину
FF300R12KE4HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 460A 1600W 7-Pin 62MM-1 Tray
наличие: шт
Код товара: 18123
Артикул: FF300R12KE4HOSA1
43850,00 
В корзину
BLM31KN271SN1L, Феррит: бусина; Импед. 100МГц: 270Ом; SMD; 3А; 1206; R: 0,016Ом
наличие: шт
Код товара: 21374
Артикул: BLM31KN271SN1L