FF150R12RT4HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray

Код товара: 17284
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 150 A
смотреть полные характеристики
19070,00 
наличие:
Выберите количество:
Semiconductor – Discrete > Power Discrete > Transistor – IGBT Module

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 150 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 790 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type AG-34MM-1
Transistor Configuration Series
М2000НМ, Ч18 (1 шт.), Сердечник ферритовый чашечный
наличие: шт
Код товара: 4142
Артикул: М2000НМ, Ч18 (1 шт.)
BLM18SP221SH1D, Феррит: бусина; Импед. 100МГц: 220Ом; SMD; 2,8А; 0603; R: 40мОм
наличие: шт
Код товара: 20544
Артикул: BLM18SP221SH1D
FF300R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А
наличие: шт
Код товара: 7293
Артикул: FF300R12KT4HOSA1
14800,00 
В корзину
BLM21SP181SN1D, Феррит: бусина; Импед. 100МГц: 180Ом; SMD; 2,6А; 0805; R: 0,02Ом
наличие: шт
Код товара: 21167
Артикул: BLM21SP181SN1D
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
наличие: шт
Код товара: 7185
Артикул: FF200R12KE3HOSA1
19380,00 
В корзину