FF150R12RT4HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray

Код товара: 17284
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 150 A
смотреть полные характеристики
19070,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Semiconductor – Discrete > Power Discrete > Transistor – IGBT Module

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 150 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 790 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type AG-34MM-1
Transistor Configuration Series
Аккумулятор HB3080G1EBC для планшета Huawei MediaPad M1 8.0 3.8V 4650mAh
наличие: шт
Код товара: 20601
Артикул: HB3080G1EBC, HB3080G1EBW, CS-HUS800SL
1100,00 ₽
В корзину
Аккумулятор HB3X1 для планшета Huawei MediaPad 10 Link S10-201W 3.7V 6600mAh
наличие: шт
Код товара: 21017
Артикул: HB3X1, HB3484V3EAW-12, CS-HUS102SL
2220,00 ₽
В корзину
Аккумуляторная батарея C12P1302 для Asus MeMO Pad FHD 10 3,7V 25Wh
наличие: шт
Код товара: 4288
Артикул:
2930,00 ₽
В корзину