PM50RVA120, IPM модуль 7 IGBT 1200В 50A 3 поколение В серия

Код товара: 4334
Артикул: PM50RVA120
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 3300
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Защита от перегрева есть
смотреть полные характеристики
8540,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули

Интеллектуальные силовые IPM модули – улучшенные гибридные силовые приборы, которые сочетают в себе быстродействие и высокий КПД IGBT транзисторов, коптимизированные управляющие драйверы и схемы защиты. Применение улучшенных токовых датчиков в схемах защиты по току и КЗ позволяет проводить непрерывный мониторинг работы устройства, тем самым повышая надежность эксплуатации. В IPM модулях имеет также и защита по температуре и по пониженному напряжению. Высокая степень интеграции IPM позволяет создавать компактные и недорогие изделия. Сигнальный интерфейс связи с IPM модулем должен иметь гальваническую развязку. Для этого обычно применяют оптроны, хотя возможно и применение оптоволоконной связи или импульсных трансформаторов. Логика управления отрицательная, т.е. активный сигнал на входе равнее 0.

Основные параметры
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 3300
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Защита от перегрева есть
Защита от пониженного напряжения питания есть
Защита по току есть
Макс.напр.к-э,В 1200
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 338
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Максимальный ток эмиттера, А 100
Мощность привода, кВт 7.5
Напряжение изоляции, В 2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.65
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Вес, г 785
PM50RVA120 50A 1200B модуль 7 IGBT (3 поколение, B серия) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 5729
Артикул:
9590,00 
В корзину
CM75E3U-12H 75A 600В модуль 3 IGBT (3 поколение, U серия) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 5157
Артикул:
3790,00 
В корзину
SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
наличие: шт
Код товара: 1320
Артикул: SKM100GB125DN
20740,00 
В корзину
IGCM10F60GAXKMA1, 3х фазный IGBT модуль, 600В, 10А [DIP 36×21]
наличие: шт
Код товара: 11615
Артикул:
1220,00 
В корзину
М2000НМ, Ш8х8 (1 шт.), Сердечник ферритовый Ш-образный
наличие: шт
Код товара: 4717
Артикул: М2000НМ, Ш8х8 (1 шт.)
SKM145GB176D, Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 100А
наличие: шт
Код товара: 10527
Артикул: SKM145GB176D
12010,00 
В корзину