PM50RL1A120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L1 серия (замена pin-to-pin версии с суффиксо

Код товара: 4262
Артикул: PM50RL1A120#300G
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
смотреть полные характеристики
19640,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В
наличие: шт
Код товара: 1932
Артикул: CM150DY-24T#300G
4080,00 
В корзину
DFI450HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 450А), IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой
наличие: шт
Код товара: 6965
Артикул: DFI450HF17I4RE1
15820,00 
В корзину
PM25RL1A120#300G, IGBT модуль 350G 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
наличие: шт
Код товара: 4144
Артикул: PM25RL1A120#300G
9980,00 
В корзину
VKP152MCQEF0KR конденсатор 1500pF 760VAC 20% Ceramic Capacitor Y5U (10 X 5mm) Radial
наличие: шт
Код товара: 29891
Артикул: VKP152MCQEF0KR
2SC3356 SOT-23, Транзистор NPN 12В 0.1А HFE=50…300 0.2Вт [SOT-23-3]
наличие: шт
Код товара: 13692
Артикул: 2SC3356 SOT-23
PM50RL1B120#350G 50A 1200B модуль IGBT (5 поколение, L1 серия) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 5685
Артикул:
32600,00 
В корзину
KP3K1102K-L716BD9 Конденсатор керамический CD Y5P-3.15кв-1000 пф K D09max F7,5 HTN
наличие: шт
Код товара: 9324
Артикул: KP3K1102K-L716BD9