Каталог

PDTA143ET,215, Транзистор, PNP RET, 50В, 0.1А, R1=4.7кОм, R2=4.7кОм [SOT-23-3]

Код товара: 35270
Артикул: PDTA143ET,215
В сравнение В избранное
PDTA143ET,215, Транзистор, PNP RET, 50В, 0.1А, R1=4.7кОм, R2=4.7кОм [SOT-23-3]
PDTA143ET,215, Транзистор, PNP RET, 50В, 0.1А, R1=4.7кОм, R2=4.7кОм [SOT-23-3]
Характеристики
Производитель Nexperia B.V.
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
смотреть полные характеристики
13,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Биполярные транзисторы – С предварительно заданным током смещения TRANS RET TAPE-7
Основные параметры
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 230
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE], Транзистор, NPN/PNP,аудио, 250В, 15А, 150 Вт, 30 МГц [TO-3P]
наличие: шт
NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE], Транзистор, NPN/PNP,аудио, 250В, 15А, 150 Вт, 30 МГц [TO-3P]
Код товара: 35162
Артикул: NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE]
810,00 ₽
В корзину
Аккумулятор CS-SMG850SL для Samsung Alpha SM-G850 3.85V / 1700mAh / 6.55Wh
наличие: шт
Аккумулятор CS-SMG850SL для Samsung Alpha SM-G850 3.85V / 1700mAh / 6.55Wh
Код товара: 15636
Артикул:
770,00 ₽
В корзину
Аккумулятор CS-SMI257XL (B500AE) для Galaxy S4 mini GT-I9190 3.7V / 1900mAh / 7.03Wh
наличие: шт
Аккумулятор CS-SMI257XL (B500AE) для Galaxy S4 mini GT-I9190 3.7V / 1900mAh / 7.03Wh
Код товара: 16105
Артикул:
720,00 ₽
В корзину
PDTC143TT,215, Транзистор NPN с резистором, 50В, 100мА, 250мВт, R1= 4.7кОм [SOT-23-3]
наличие: шт
PDTC143TT,215, Транзистор NPN с резистором, 50В, 100мА, 250мВт, R1= 4.7кОм [SOT-23-3]
Код товара: 35340
Артикул: PDTC143TT,215
10,00 ₽
В корзину
Индуктивность, 10,0 мкГн, 0,370 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-100K,± 10%
наличие: шт
Индуктивность, 10,0 мкГн, 0,370 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-100K,± 10%
Код товара: 30067
Артикул: 4051 индук10,0мкГн\ 0,370А\AXI3,0x 6,0\\\\\EC24\
33,00 ₽
В корзину
Индуктивность, 47,0 мкГн, 0,11 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-470K,± 10%
наличие: шт
Индуктивность, 47,0 мкГн, 0,11 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-470K,± 10%
Код товара: 31186
Артикул: 4017 индук47,0мкГн\ 0,11А\AXI2,5x 5,5\\\\\EC24\
25,00 ₽
В корзину
JYC4C101KCT, 100 пФ, 15 кВ, 10%, Y5T, D=7мм, Конденсатор керамический дисковый
наличие: шт
JYC4C101KCT, 100 пФ, 15 кВ, 10%, Y5T, D=7мм, Конденсатор керамический дисковый
Код товара: 1310
Артикул: JYC4C101KCT, 100 пФ, 15 кВ, 10%, Y5T, D=7мм
44,00 ₽
В корзину
Аккумулятор CS-SMG930SL EB-BG930ABE для Samsung Galaxy S7 SM-G930F 3.85V / 3000mAh / 11.55Wh
наличие: шт
Аккумулятор CS-SMG930SL EB-BG930ABE для Samsung Galaxy S7 SM-G930F 3.85V / 3000mAh / 11.55Wh
Код товара: 15783
Артикул:
880,00 ₽
В корзину
Индуктивность, 18,0 мкГн, 0,140 А,EC22, AXI 2,3x 4,2 мм, AL(LGA)0204-180K,± 10%
наличие: шт
Индуктивность, 18,0 мкГн, 0,140 А,EC22, AXI 2,3x 4,2 мм, AL(LGA)0204-180K,± 10%
Код товара: 30484
Артикул: 4060 индук18,0мкГн\0,140А\AXI2,3x 3,5\\\\\EC22\
25,00 ₽
В корзину
Аккумулятор CS-SMA710SL EB-BA710ABE для Samsung Galaxy A7 (2016) SM-A710 3.85V / 2400mAh / 9.24Wh
наличие: шт
Аккумулятор CS-SMA710SL EB-BA710ABE для Samsung Galaxy A7 (2016) SM-A710 3.85V / 2400mAh / 9.24Wh
Код товара: 15031
Артикул:
710,00 ₽
В корзину