Каталог

MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3]

Код товара: 35108
Артикул: MUN2211T1G
В сравнение В избранное
MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3]
MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3]
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
смотреть полные характеристики
13,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 0,23Вт, SC59, R1: 10кОм Характеристики

Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN
Основные параметры
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.23
Корпус SC-59
Вес, г 0.05
2SC2712, Транзистор NPN 50В 0.15А HFE=70…700 0.15Вт [SOT-23-3]
наличие: шт
2SC2712, Транзистор NPN 50В 0.15А HFE=70…700 0.15Вт [SOT-23-3]
Код товара: 12062
Артикул:
4,00 ₽
В корзину
LM2585S-ADJ/NOPB, DC-DC преобразователь, Uвх=4…40В, Uвых=1.23…60В, 3А [TO-263-5]
наличие: шт
LM2585S-ADJ/NOPB, DC-DC преобразователь, Uвх=4…40В, Uвых=1.23…60В, 3А [TO-263-5]
Код товара: 4785
Артикул: LM2585S-ADJ/NOPB
1870,00 ₽
В корзину
799036, Трехфазный конденсатор NWC6-0.45-20-3, АС450В, 20кВАр
наличие: шт
799036, Трехфазный конденсатор NWC6-0.45-20-3, АС450В, 20кВАр
Код товара: 4532
Артикул: 799036
12140,00 ₽
В корзину
B25667-C3497-A375, Конденсатор фазовый, 25кВАр 400В, MKK400-D-25-01( Аналог B25667-B3497-A375)
наличие: шт
B25667-C3497-A375, Конденсатор фазовый, 25кВАр 400В, MKK400-D-25-01( Аналог B25667-B3497-A375)
Код товара: 25156
Артикул: B25667-C3497-A375
14280,00 ₽
В корзину
NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE], Транзистор, NPN/PNP,аудио, 250В, 15А, 150 Вт, 30 МГц [TO-3P]
наличие: шт
NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE], Транзистор, NPN/PNP,аудио, 250В, 15А, 150 Вт, 30 МГц [TO-3P]
Код товара: 35162
Артикул: NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE]
810,00 ₽
В корзину
Аккумулятор CS-SMG850SL для Samsung Alpha SM-G850 3.85V / 1700mAh / 6.55Wh
наличие: шт
Аккумулятор CS-SMG850SL для Samsung Alpha SM-G850 3.85V / 1700mAh / 6.55Wh
Код товара: 15636
Артикул:
770,00 ₽
В корзину
Аккумулятор CS-SMI257XL (B500AE) для Galaxy S4 mini GT-I9190 3.7V / 1900mAh / 7.03Wh
наличие: шт
Аккумулятор CS-SMI257XL (B500AE) для Galaxy S4 mini GT-I9190 3.7V / 1900mAh / 7.03Wh
Код товара: 16105
Артикул:
720,00 ₽
В корзину
PDTC143TT,215, Транзистор NPN с резистором, 50В, 100мА, 250мВт, R1= 4.7кОм [SOT-23-3]
наличие: шт
PDTC143TT,215, Транзистор NPN с резистором, 50В, 100мА, 250мВт, R1= 4.7кОм [SOT-23-3]
Код товара: 35340
Артикул: PDTC143TT,215
10,00 ₽
В корзину
Индуктивность, 10,0 мкГн, 0,370 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-100K,± 10%
наличие: шт
Индуктивность, 10,0 мкГн, 0,370 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-100K,± 10%
Код товара: 30067
Артикул: 4051 индук10,0мкГн\ 0,370А\AXI3,0x 6,0\\\\\EC24\
33,00 ₽
В корзину
Индуктивность, 15,0 мкГн, 0,460 А,EC36, AXI 5,0×10,5 мм, AL(LGA)0510-150K,± 10%
наличие: шт
Индуктивность, 15,0 мкГн, 0,460 А,EC36, AXI 5,0×10,5 мм, AL(LGA)0510-150K,± 10%
Код товара: 30376
Артикул: 4090 индук15,0мкГн\ 0,460А\AXI6,5x10,5\\\\\EC36\
25,00 ₽
В корзину