MJ15003G, Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт, [TO-3]

Код товара: 33092
Артикул: MJ15003G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 20
смотреть полные характеристики
1310,00 
наличие:
Выберите количество:
Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 20
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 2
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 250
Корпус то-3
Вес, г 18
715C15DKD47, Cap Ceramic 0.0047uF 15000V Y5U -20% to 80%( 33 X 22.9mm) Chassis Mount Disc 85°C Carton
наличие: шт
Код товара: 32332
Артикул: 715C15DKD47
5500,00 
В корзину
CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В
наличие: шт
Код товара: 1932
Артикул: CM150DY-24T#300G
4080,00 
В корзину
DFI450HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 450А), IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой
наличие: шт
Код товара: 6965
Артикул: DFI450HF17I4RE1
15820,00 
В корзину