FZ3600R12HP4HOSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Switch, 3.6 кА, 1.7 В, 19 кВт, 175 °C, Module

Код товара: 25942
Артикул: FZ3600R12HP4HOSA2
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 3.6кА
DC Ток Коллектора 3.6кА
смотреть полные характеристики
375400,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули
Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 3.6кА
DC Ток Коллектора 3.6кА
Power Dissipation 19кВт
Выводы БТИЗ Tab
Конфигурация БТИЗ Single Switch
Линейка Продукции IHM-B
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Рассеиваемая Мощность 19кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench)
FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
наличие: шт
Код товара: 1076
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
11700,00 ₽
В корзину
GD300HFY120C6S, IGBT модуль 1200B 300А 2 in one-package
наличие: шт
Код товара: 8177
Артикул: GD300HFY120C6S
13250,00 ₽
В корзину
GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071
наличие: шт
Код товара: 3350
Артикул: GD150HFL120C8S
8430,00 ₽
В корзину