FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

Код товара: 1076
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 555
смотреть полные характеристики
11700,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Модуль Trans IGBT N-CH 1200 В 100 А 555000 мВт 7-к Характеристики

Категория Транзистор
Тип модуль
Вид IGBT
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 555
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус AG-34MM
Вес, г 160
PM50CL1B120#300G, модуль IPM L1-Series 50А 1200В
наличие: шт
Код товара: 4232
Артикул: PM50CL1B120#300G
12920,00 
В корзину
HFGM200A 1200V, Модуль силовой IGBT 1200В/200A
наличие: шт
Код товара: 8919
Артикул: HFGM200A 1200V
7300,00 
В корзину
ТП112-6 (ТП132-6), Трансформатор, 10.6В, 0.68А
наличие: шт
Код товара: 1344
Артикул: ТП112-6 (ТП132-6)