Каталог

DFI600HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 600А), IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой

Код товара: 7023
Артикул: DFI600HF17I4RE1
В сравнение В избранное
DFI600HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 600А), IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой
DFI600HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 600А), IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Вес, г 420
смотреть полные характеристики
19640,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой

Основные параметры
Вес, г 420
DSEI2X61-10B, диодный модуль. 1 кВ 120А из двух независимых силовых диодов. SOT227B. Температурный диапазон от -40 до +150С
наличие: шт
DSEI2X61-10B, диодный модуль. 1 кВ 120А из двух независимых силовых диодов. SOT227B. Температурный диапазон от -40 до +150С
Код товара: 7083
Артикул: DSEI2X61-10B
5570,00 ₽
В корзину
FF100R12RT4, IGBT Modules IGBT Module w/ IGBT & Diode
наличие: шт
FF100R12RT4, IGBT Modules IGBT Module w/ IGBT & Diode
Код товара: 16992
Артикул: FF100R12RT4
23090,00 ₽
В корзину
FF400R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А
наличие: шт
FF400R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А
Код товара: 7351
Артикул: FF400R12KE3HOSA1
21800,00 ₽
В корзину