Производитель | Leapers Semiconductor |
Макс.напр.к-э,В | 1700 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Основные параметры | |
Макс.напр.к-э,В | 1700 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
кол-во в упаковке | 10 |