DFS04HF12EZC1, SiC модуль 1200В 200A полумост E2

Код товара: 3194
Артикул: DFS04HF12EZC1
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Структура модуля полумост
смотреть полные характеристики
18200,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Структура модуля полумост
IGBT модуль SKM150GB12T4G
наличие: шт
Код товара: 27524
Артикул:
14240,00 ₽
В корзину
GD25FFK120C5SP, Модуль IGBT 1200В 25А
наличие: шт
Код товара: 8024
Артикул: GD25FFK120C5SP
6570,00 ₽
В корзину