2SD669, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1.5А, Vceo=180В, Vcbo=180В, Pd=20Вт, hFE= 60…320 [TO-126]

Код товара: 20267
Артикул: 2SD669
Характеристики
Производитель Inchange Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 180
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
смотреть полные характеристики
77,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 180
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60…320
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 140
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 20
Корпус to-126
Вес, г 0.9
MAX3232ECD
наличие: 0 шт
Код товара: 36970
Артикул: b2b04d2d4c99
BZV85C5V6, Стабилитрон 5.6В, 1.3Вт
наличие: шт
Код товара: 22272
Артикул: BZV85C5V6
LQG18HN6N8J00D
наличие: шт
Код товара: 18623
Артикул:
2SD1556, Транзистор, NPN 600В 6А 50Вт [TO-3ML]
наличие: шт
Код товара: 18197
Артикул: 2SD1556
Индуктивность, 0,82 мкГн, 0,98 А,EC36, AXI 3,5x 8,5 мм
наличие: шт
Код товара: 29833
Артикул: 4065 индук 0,82мкГн\ 0,98А\AXI3,5x 8,5\\\\\EC36\
ISO3082DWR Texas Instruments
наличие: шт
Код товара: 16576
Артикул:
MMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]
наличие: шт
Код товара: 34212
Артикул: MMBT2907ALT1G
MMBT4403LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, [SOT-23-3]
наличие: шт
Код товара: 34444
Артикул: MMBT4403LT1G
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 560 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 32816
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 560 Ом, 5%
ISO7231ADW
наличие: шт
Код товара: 17728
Артикул:
1620,00 ₽
В корзину