MMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]

Код товара: 34212
Артикул: MMBT2907ALT1G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
смотреть полные характеристики
15,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Транзистор p-n-p 60В 0.6A SOT23 Характеристики

Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
LQG15HS3N6S02D, 3.6 нГн, 0402, точность 0.3 нГн, Индуктивность SMD
наличие: шт
Код товара: 36084
Артикул: LQG15HS3N6S02D, 3.6 нГн, 0402, точность 0.3 нГн
Индуктивность, 22,0 мкГн, 0,285 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-220K,± 10%
наличие: шт
Код товара: 30664
Артикул: 4082 индук22,0мкГн\ 0,285А\AXI2,5x 6,5\\\\\EC24\
LQG18HN3N9S00D, 3.9 нГн, 0603, точность 0.3 нГн, Индуктивность SMD
наличие: шт
Код товара: 36190
Артикул: LQG18HN3N9S00D, 3.9 нГн, 0603, точность 0.3 нГн
LQG18HN1N2S00D, 1.2 нГн, 0603, точность 0.3 нГн, Индуктивность SMD
наличие: шт
Код товара: 5655
Артикул: LQG18HN1N2S00D, 1.2 нГн, 0603, точность 0.3 нГн