FF150R12RT4HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray

Код товара: 17284
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 150 A
смотреть полные характеристики
19070,00 
наличие:
Выберите количество:
Semiconductor – Discrete > Power Discrete > Transistor – IGBT Module

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 150 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 790 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type AG-34MM-1
Transistor Configuration Series
CM50DU-24F, 2 IGBT RTC 1200V 50A 4-gen (F-Series)
наличие: шт
Код товара: 15799
Артикул:
13180,00 
В корзину
FF300R12KE4HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 460A 1600W 7-Pin 62MM-1 Tray
наличие: шт
Код товара: 18123
Артикул: FF300R12KE4HOSA1
43850,00 
В корзину
ТП1203, Трансформатор, 12В, 0.9А
наличие: шт
Код товара: 1896
Артикул: ТП1203
М2000НМ, Ш10х10 (1 шт.), Сердечник ферритовый Ш-образный
наличие: шт
Код товара: 4376
Артикул: М2000НМ, Ш10х10 (1 шт.)