Каталог

SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.5 А, 120 hFE, [TO-92]

Код товара: 36146
Артикул: SS8550CBU
В сравнение В избранное
SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.5 А, 120 hFE, [TO-92]
SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.5 А, 120 hFE, [TO-92]
Характеристики
Производитель Fairchild Semiconductor
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
смотреть полные характеристики
16,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Биполярные транзисторы – BJT TO92 PNP 2W BULK
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 120
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1
Корпус TO-92
Вес, г 0.3
179021.0,5; 0.5 А, 250 В, 5х20 мм, F, Предохранитель керамический быстродействующий
наличие: шт
179021.0,5; 0.5 А, 250 В, 5х20 мм, F, Предохранитель керамический быстродействующий
Код товара: 6609
Артикул: 179021.0,5; 0.5 А, 250 В, 5х20 мм, F
92,00 ₽
В корзину
179021.0,25; 0.25 А, 250 В, 5х20 мм, F, Предохранитель керамический быстродействующий
наличие: шт
179021.0,25; 0.25 А, 250 В, 5х20 мм, F, Предохранитель керамический быстродействующий
Код товара: 6477
Артикул: 179021.0,25; 0.25 А, 250 В, 5х20 мм, F
92,00 ₽
В корзину
0477002.MXP, (2A Медл. Керамика), T 400 V 2А 5.2×20 mm, в керамическом корпусе
наличие: шт
0477002.MXP, (2A Медл. Керамика), T 400 V 2А 5.2×20 mm, в керамическом корпусе
Код товара: 33474
Артикул: 0477002.MXP
49,00 ₽
В корзину