Производитель | ON Semiconductor*** |
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Основные параметры | |
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
Корпус | sot-23 |
Вес, г | 0.05 |