Каталог

SKM50GB12T4, Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт

Код товара: 10914
Артикул: SKM50GB12T4
В сравнение В избранное
SKM50GB12T4, Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт
SKM50GB12T4, Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
Корпус GB
кол-во в упаковке 8
Channel Type N
Configuration Dual Half Bridge
смотреть полные характеристики
5460,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт

Основные параметры
Корпус GB
кол-во в упаковке 8
Channel Type N
Configuration Dual Half Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 81 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type SEMITRANS2
Pin Count 7
Transistor Configuration Series
Вес, г 310
Тензорезистор200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12; №5561 Е Р-тензо200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12
наличие: шт
Тензорезистор200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12; №5561 Е Р-тензо200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12
Код товара: 8220
Артикул: №5561 Е Р-тензо\200,8 Ом\К2,16\КФ5П1-10-200-Б-12
1340,00 ₽
В корзину
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
наличие: шт
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
Код товара: 1348
Артикул: SKM100GB12T4
10990,00 ₽
В корзину
HPA17F (HPA17A) 5 В, 17 мм, Пьезоизлучатель звуковой
наличие: шт
HPA17F (HPA17A) 5 В, 17 мм, Пьезоизлучатель звуковой
Код товара: 3026
Артикул: HPA17F (HPA17A) 5 В, 17 мм
140,00 ₽
В корзину
SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А
наличие: шт
SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А
Код товара: 10442
Артикул: SKIIP35NAB12T4V1
10590,00 ₽
В корзину