SKM50GB12T4

Код товара: 1740
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
кол-во в упаковке 8
Channel Type N
Configuration Dual Half Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
смотреть полные характеристики
6910,00 
наличие:
Выберите количество:
Модули IGBT

Описание Транзистор БТИЗ SKM50GB12T4 от компании SEMIKRON – высокопроизводительное устройство, предназначенное для эффективной работы в широком спектре электронных применений. Этот IGBT транзистор характеризуется монтажом на винтах, что обеспечивает надёжное соединение и удобство при монтаже. Коллектор транзистора способен пропускать ток до 62 А, что гарантирует его работоспособность в условиях высокой нагрузки. Корпус SEMITRANS2 обеспечивает отличное теплоотведение и механическую защиту компонентов. Используйте SKM50GB12T4 для повышения эффективности ваших электронных систем. Характеристики

Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж винтами
Ток коллектора, А 62
Корпус SEMITRANS2
Основные параметры
кол-во в упаковке 8
Channel Type N
Configuration Dual Half Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 81 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type SEMITRANS2
Pin Count 7
Transistor Configuration Series
Вес, г 310