Каталог

SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

Код товара: 1348
Артикул: SKM100GB12T4
В сравнение В избранное
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 160
Рабочая температура (Tj), °C -40…+170
смотреть полные характеристики
10990,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices.
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 160
Рабочая температура (Tj), °C -40…+170
Корпус SEMITRANS 2
Вес, г 154
Тензорезистор200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12; №5561 Е Р-тензо200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12
наличие: шт
Тензорезистор200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12; №5561 Е Р-тензо200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12
Код товара: 8220
Артикул: №5561 Е Р-тензо\200,8 Ом\К2,16\КФ5П1-10-200-Б-12
1340,00 ₽
В корзину