Каталог

SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

Код товара: 1320
Артикул: SKM100GB125DN
В сравнение В избранное
SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
смотреть полные характеристики
20740,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус D-93
Наличие схем управления/защиты в составе модуля Нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Максимально допустимый импульсный ток э,А 400
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В 2.5
Температурный диапазон,С -40…150
Вес, г 160
Тензорезистор200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12; №5561 Е Р-тензо200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12
наличие: шт
Тензорезистор200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12; №5561 Е Р-тензо200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12
Код товара: 8220
Артикул: №5561 Е Р-тензо\200,8 Ом\К2,16\КФ5П1-10-200-Б-12
1340,00 ₽
В корзину
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
наличие: шт
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
Код товара: 1348
Артикул: SKM100GB12T4
10990,00 ₽
В корзину
HPA17F (HPA17A) 5 В, 17 мм, Пьезоизлучатель звуковой
наличие: шт
HPA17F (HPA17A) 5 В, 17 мм, Пьезоизлучатель звуковой
Код товара: 3026
Артикул: HPA17F (HPA17A) 5 В, 17 мм
140,00 ₽
В корзину
SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А
наличие: шт
SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А
Код товара: 10442
Артикул: SKIIP35NAB12T4V1
10590,00 ₽
В корзину