SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

Код товара: 1320
Артикул: SKM100GB125DN
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
смотреть полные характеристики
20740,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус D-93
Наличие схем управления/защиты в составе модуля Нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Максимально допустимый импульсный ток э,А 400
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В 2.5
Температурный диапазон,С -40…150
Вес, г 160
CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия
наличие: шт
Код товара: 1964
Артикул: CM400DY-12NF
21770,00 
В корзину
SKM200GB12T4, Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin
наличие: шт
Код товара: 10827
Артикул: SKM200GB12T4
11000,00 
В корзину
МЗ0ВН, 20х10х5, Сердечник ферритовый кольцевой
наличие: шт
Код товара: 7928
Артикул: МЗ0ВН, 20х10х5
Источник питания ComNet PS48V-1.25A
наличие: шт
Код товара: 14227
Артикул: PS48V-1.25A
26588,00 
В корзину
Шлюз AddPac ADD-AP100P
наличие: шт
Код товара: 26385
Артикул: ADD-AP100P
14617,00 
В корзину
Шлюз AddPac ADD-AP1100FA
наличие: шт
Код товара: 26461
Артикул: ADD-AP1100FA
114473,00 
В корзину