Каталог

SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А

Код товара: 10442
Артикул: SKIIP35NAB12T4V1
В сравнение В избранное
SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А
SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
Корпус MiniSKiiPR 3
кол-во в упаковке 1
Вес, г 194.5
смотреть полные характеристики
10590,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А

Основные параметры
Корпус MiniSKiiPR 3
кол-во в упаковке 1
Вес, г 194.5
Тензорезистор200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12; №5561 Е Р-тензо200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12
наличие: шт
Тензорезистор200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12; №5561 Е Р-тензо200,8 ОмК2,16КФ5П1- 10-200-Б-12
Код товара: 8220
Артикул: №5561 Е Р-тензо\200,8 Ом\К2,16\КФ5П1-10-200-Б-12
1340,00 ₽
В корзину
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
наличие: шт
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
Код товара: 1348
Артикул: SKM100GB12T4
10990,00 ₽
В корзину
HPA17F (HPA17A) 5 В, 17 мм, Пьезоизлучатель звуковой
наличие: шт
HPA17F (HPA17A) 5 В, 17 мм, Пьезоизлучатель звуковой
Код товара: 3026
Артикул: HPA17F (HPA17A) 5 В, 17 мм
140,00 ₽
В корзину