Производитель	ON Semiconductor***
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	2

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	75
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	75
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.8
Корпус	SOT-223
Вес, г	0.39

PZT751T1G, Транзистор PNP -60В -2А [SOT-223]