Производитель	Nexperia B.V.
Структура	npn/pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1

Основные параметры
Структура	npn/pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.2
Корпус	SOT-363
Количество Выводов	6 Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер	50В
Корпус РЧ Транзистора	SOT-363
Резистор На входе Базы R1	47кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic	100мА
Резистор База-эмиттер R2	47кОм
Полярность Цифрового Транзистора	NPN и PNP
Соответствует Фталатам RoHS	Да
Линейка продукции	PUMD12 Series
Вес, г	0.04

PUMD12,115, Транзисторная сборка NPN/PNP с резисторами, 50В, 100мА, 300мВт, R1/R2= 47кОм, AEC-Q101 [SOT-363]