Каталог

PM50RL1A120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L1 серия (замена pin-to-pin версии с суффиксо

Код товара: 4262
Артикул: PM50RL1A120#300G
В сравнение В избранное
PM50RL1A120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L1 серия (замена pin-to-pin версии с суффиксо
PM50RL1A120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L1 серия (замена pin-to-pin версии с суффиксо
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
смотреть полные характеристики
19640,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
PM50RL1B120#350G, IGBT модуль 350G 1200В 50A 5 поколение L1 серия
наличие: шт
PM50RL1B120#350G, IGBT модуль 350G 1200В 50A 5 поколение L1 серия
Код товара: 4306
Артикул: PM50RL1B120#350G
10310,00 ₽
В корзину
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
наличие: шт
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Код товара: 7185
Артикул: FF200R12KE3HOSA1
19380,00 ₽
В корзину