PDTC143ET,215, Транзистор NPN 50В 100мА [SOT-23 / TO-236AB]

Код товара: 35324
Артикул: PDTC143ET,215
Характеристики
Производитель Nexperia B.V.
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
смотреть полные характеристики
14,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Основные параметры
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 230
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 43 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 33644
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 43 кОм, 5%
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 15 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 39103
Артикул: MO-200 (С2-23) 2 Вт, 15 кОм, 5%
2SC5171(Q), Транзистор NPN 180 В 2 А [2-10R1A / TO-220F]
наличие: шт
Код товара: 16272
Артикул: 2SC5171(Q)
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 82 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 33770
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 82 кОм, 5%
BZV55-B3V6,115, Диод Зенера, 3.6 В, 400 мВт, SOD-80C, 2 %, 2 вывод(-ов), 200 °C
наличие: шт
Код товара: 21798
Артикул: BZV55-B3V6,115