Каталог

PDTC143ET,215, Транзистор NPN 50В 100мА [SOT-23 / TO-236AB]

Код товара: 35324
Артикул: PDTC143ET,215
В сравнение В избранное
PDTC143ET,215, Транзистор NPN 50В 100мА [SOT-23 / TO-236AB]
PDTC143ET,215, Транзистор NPN 50В 100мА [SOT-23 / TO-236AB]
Характеристики
Производитель Nexperia B.V.
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
смотреть полные характеристики
14,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Основные параметры
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 230
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 39 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 39 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 32312
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 39 Ом, 5%
7,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 330 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 330 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 34024
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 330 кОм, 5%
9,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 4.3 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 4.3 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 33192
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 4.3 кОм, 5%
7,00 ₽
В корзину