PBSS5350T,215, Транзистор PNP 50В 2А 0.48Вт [SOT-23-3]

Код товара: 35234
Артикул: PBSS5350T,215
Характеристики
Производитель Nexperia B.V.
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
смотреть полные характеристики
54,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors.
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.54
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
Аккумуляторная батарея BL-46G1F для LG Grace, K10 2017
наличие: шт
Код товара: 26789
Артикул:
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 36 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 32294
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 36 Ом, 5%
MPSA42, Транзистор NPN 300В 0.5А [TO-92 Formed Leads] (=KSP42)
наличие: шт
Код товара: 35036
Артикул: MPSA42
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 27 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 33554
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 27 кОм, 5%