MMUN2113LT1G, Транзистор PNP -50В -100мА 400мВт [SOT-23-3]

Код товара: 34910
Артикул: MMUN2113LT1G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
смотреть полные характеристики
10,00 
наличие:
Выберите количество:
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Основные параметры
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.246
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
MMBTA42, Транзистор NPN 300В 0.3А 0.3Вт [SOT-23-3]
наличие: шт
Код товара: 34696
Артикул: MMBTA42
Конденсатор керамический, емкость 3300пФ, напряжение 2000 В, размер 7x 3, выводы 2L5
наличие: шт
Код товара: 5307
Артикул: к 3300 пФ\ 2000\ 7x 3\\\\2L5\\332 2kV [К15-5]
2SA950, Транзистор PNP 30В 0.8A 0.6Вт 120МГц [TO-92]
наличие: шт
Код товара: 7825
Артикул: 2SA950