MMUN2113LT1G, Транзистор PNP -50В -100мА 400мВт [SOT-23-3]

Код товара: 34910
Артикул: MMUN2113LT1G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
смотреть полные характеристики
10,00 
наличие:
Выберите количество:
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Основные параметры
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.246
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
Каркас Индуктивности20x45x32m (52x50x70) мм, EE55-2
наличие: шт
Код товара: 32686
Артикул: 13733 индук каркас\20x45x32m(52x50x70)\20P\пл\EE55
Запасная шпулька к GT 4030 113349
наличие: шт
Код товара: 18177
Артикул: 113349
FMAMSDXX015WC2C3, Force Sensors & Load Cells MICROFORCE SENSOR 15N FMA,I2C
наличие: шт
Код товара: 15951
Артикул: FMAMSDXX015WC2C3
9690,00 
В корзину
Аккумулятор Vixion EB-BT530FBC для планшета Samsung Galaxy Tab 4 10.5 SM-T530
наличие: шт
Код товара: 25148
Артикул: EB-BT530FBC, EB-BT530FBU
1420,00 
В корзину
Предохранитель керамический 3.6×10мм, 0,25А, 250в,медленный,FBCTF1014; №12790S пред 3,6×10 0,25А250Вмедл кер2CFBCTF1014
наличие: шт
Код товара: 29613
Артикул: №12790S пред 3,6x10\ 0,25А\250В\медл\кер\2C\FBCTF
Предохранитель D I gG 25A/500V (E16)
наличие: шт
Код товара: 35238
Артикул:
Видеочип nVidia GeForce N11M-OP1-B-A3
наличие: шт
Код товара: 15258
Артикул:
1390,00 
В корзину