MMUN2113LT1G, Транзистор PNP -50В -100мА 400мВт [SOT-23-3]

Код товара: 34910
Артикул: MMUN2113LT1G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
смотреть полные характеристики
10,00 
наличие:
Выберите количество:
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Основные параметры
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.246
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
LM2594MX-5.0/NOPB, DC-DC преобразователь, Uвх=4.5…40В, Uвых=5, 0.5А [SOIC-8]
наличие: шт
Код товара: 15977
Артикул: LM2594MX-5.0/NOPB
ISO7421AQDRQ1, Digital Isolator Logic 2-CH 50Mbps Automotive AEC-Q100 8-Pin SOIC T/R
наличие: шт
Код товара: 35176
Артикул: ISO7421AQDRQ1
RLB9012-562KL
наличие: 2000 шт
Код товара: 36659
Артикул: 92d5cf7f1432
Точка доступа Moxa 6077988
наличие: шт
Код товара: 26470
Артикул: 6077988
43670,00 
В корзину
HFGM200A 1200V, Модуль силовой IGBT 1200В/200A
наличие: шт
Код товара: 8919
Артикул: HFGM200A 1200V
7300,00 
В корзину