MMBTA92LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт, [SOT-23]

Код товара: 34822
Артикул: MMBTA92LT1G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
смотреть полные характеристики
18,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
PAI120M30, Изолятор цифровой 10МБ/с серия iDividerR питание 3…5.5В SMD
наличие: шт
Код товара: 28284
Артикул: PAI120M30
Индуктивность, 3,9 млГн, 0,060 А, AXI 4,0x 9,8 мм, LAL04TA392J,± 5%
наличие: шт
Код товара: 30898
Артикул: 4033 T индук 3,9млГн\0,060А\AXI4,0x 9,8\ 5%\\\\LAL
Индуктивность, 150,0 мкГн, 0,460 А,EC36, AXI 4,0×10,5 мм, AL(LGA)0410-151K,± 10%
наличие: шт
Код товара: 30466
Артикул: 4038 индук 150,0мкГн\ 0,460А\AXI3,5x 8,5\\\\\EC36\
BT-H562-R0440-S1R3, Конденсатор косинусный трехфазный BT 440В, 50 кВар
наличие: шт
Код товара: 4797
Артикул: BT-H562-R0440-S1R3
23210,00 ₽
В корзину
Конденсатор керамический 470 пФ 5000 8x 410 +85CY5P2L10[К15-5]; к 470 пФ 5000 8x 410 +85CY5P2L10\[К15-5]
наличие: шт
Код товара: 12770
Артикул: к 470 пФ\ 5000\ 8x 4\10\ +85C\Y5P\2L10\\[К15-5]
Аккумулятор ZeepDeep ASIA BP41 для Xiaomi Mi 9T, Redmi K20 3.8V 3900mAh
наличие: шт
Код товара: 2665
Артикул:
1470,00 ₽
В корзину
179021.1,6; 1.6 А, 250 В, 5х20 мм, F, Предохранитель керамический быстродействующий
наличие: шт
Код товара: 6741
Артикул: 179021.1,6; 1.6 А, 250 В, 5х20 мм, F