Производитель	ON Semiconductor***
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	150
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	150
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	50
Корпус	to-220
Вес, г	2.5

MJE15031G, Транзистор PNP 150В 8А [TO-220]