Каталог

MJE13007G, Транзистор NPN 400В 8А 80Вт [TO-220AB] (=ST13007)

Код товара: 33580
Артикул: MJE13007G
В сравнение В избранное
MJE13007G, Транзистор NPN 400В 8А 80Вт [TO-220AB] (=ST13007)
MJE13007G, Транзистор NPN 400В 8А 80Вт [TO-220AB] (=ST13007)
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
смотреть полные характеристики
200,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 14
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80
Корпус to-220
Вес, г 2.5
MJ15003G, Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт, [TO-3]
наличие: шт
MJ15003G, Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт, [TO-3]
Код товара: 33092
Артикул: MJ15003G
1310,00 ₽
В корзину
Предохранитель 10×38, ток 16А, керамика, 500В, R015 IEC269VDE0636
наличие: шт
Предохранитель 10×38, ток 16А, керамика, 500В, R015 IEC269VDE0636
Код товара: 16566
Артикул: 2965 пред 10x38\16А\\кер\500В\R015 IEC269VDE0636\
120,00 ₽
В корзину
Предохранитель 10×38, 4,0А, 500В, керамический, 2C, R015 IEC269VDE0636; №2965 Z пред 10×38 4,0А500В кер2CR015 IEC269VDE0636
наличие: шт
Предохранитель 10×38, 4,0А, 500В, керамический, 2C, R015 IEC269VDE0636; №2965 Z пред 10×38 4,0А500В кер2CR015 IEC269VDE0636
Код товара: 29201
Артикул: №2965 Z пред 10x38\ 4,0А\500В\ \кер\2C\R015 IEC269
240,00 ₽
В корзину