| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 700 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Основные параметры | |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 700 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 80 |
| Корпус | to-220 |
| Вес, г | 2.5 |