Производитель	ON Semiconductor***
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	90
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	1.75
Корпус	dpak(to-252)
Вес, г	0.4

MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]