Каталог

MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]

Код товара: 33488
Артикул: MJD45H11T4G
В сравнение В избранное
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
смотреть полные характеристики
98,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики

Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 90
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.75
Корпус dpak(to-252)
Вес, г 0.4