MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]

Код товара: 33470
Артикул: MJD45H11G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
смотреть полные характеристики
98,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Транзистор силовой биполярный DPAK
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 90
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.75
Корпус dpak(to-252)
Вес, г 0.4
2SC5103TLQ, Транзистор NPN 60 В 5 А [CPT-3]
наличие: шт
Код товара: 16127
Артикул: 2SC5103TLQ
MJD122, Транзистор NPN – Darlington 100В 8A 1.5Вт [DPAK]
наличие: шт
Код товара: 33326
Артикул: MJD122
HFGM450A 1200V, Модуль силовой IGBT 1200В/450A
наличие: шт
Код товара: 9073
Артикул: HFGM450A 1200V
11250,00 
В корзину
ОСМ1-0.1 380/5-12, Трансформатор
наличие: шт
Код товара: 13425
Артикул:
1030,00 
В корзину
PM200DV1A120, IGBT модуль 1200В 200A V1 серия
наличие: шт
Код товара: 10268
Артикул:
41140,00 
В корзину
Конд.кер.диск. 12 пФ х 50В, NPO, +/-5%
наличие: шт
Код товара: 29639
Артикул:
HF300H170, Модуль силовой IGBT 1700В/300A
наличие: шт
Код товара: 8607
Артикул: HF300H170
14110,00 
В корзину
PM50CL1B120#300G, модуль IPM L1-Series 50А 1200В
наличие: шт
Код товара: 4232
Артикул: PM50CL1B120#300G
12920,00 
В корзину
ТА 92 127/220-50, Трансформатор
наличие: шт
Код товара: 14262
Артикул:
1860,00 
В корзину
DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
наличие: шт
Код товара: 3150
Артикул: DFS02FB12HDB1
363600,00 
В корзину