MJD44H11T4G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252]

Код товара: 33452
Артикул: MJD44H11T4G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
смотреть полные характеристики
90,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики

Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 85
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.75
Корпус dpak(to-252)
Вес, г 0.4
Предохранитель 3,0x 7, ток 0,1 А, керамика, номинальное напряжение 0350 В, ВП4-8
наличие: шт
Код товара: 17294
Артикул: 10126 пред 3,0x 7\ 0,1А350В\\кер\L-17мм\ВП4-8\
Предохранитель 3,0x 7, ток 2,0 А, керамика, ВП4-4
наличие: шт
Код товара: 17998
Артикул: 10126 пред 3,0x 7\ 2,0А350В\\кер\L-17мм\ВП4-4\