Производитель | ON Semiconductor*** |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 90 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Основные параметры | |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 90 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
Корпус | то-3 |
Вес, г | 18 |