Каталог

MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]

Код товара: 33020
Артикул: MJ11015G
В сравнение В избранное
MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]
MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
смотреть полные характеристики
1300,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
The ON Semiconductor MJ11015G is a 30A, 120V PNP Darlington bipolar power transistor. It is designed to be used as an output device for general purpose amplifier applications.
Основные параметры
Структура pnp darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус то-3
Вес, г 18