Home
Электронные компоненты
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]

MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]

Код товара: 33020

Артикул: MJ11015G

MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]

Характеристики

Производитель	ON Semiconductor***
Структура	pnp darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	30

смотреть полные характеристики

1300,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

The ON Semiconductor MJ11015G is a 30A, 120V PNP Darlington bipolar power transistor. It is designed to be used as an output device for general purpose amplifier applications.

Основные параметры
Структура	pnp darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	200
Корпус	то-3
Вес, г	18