Каталог

MGC75D12A1-251H3, Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В

Код товара: 9306
Артикул: MGC75D12A1-251H3
В сравнение В избранное
MGC75D12A1-251H3, Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В
MGC75D12A1-251H3, Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В
Характеристики
Производитель TechSem
Вес, г 160
смотреть полные характеристики
3970,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В

Основные параметры
Вес, г 160
MAX3222EIDBRG4
наличие: 0 шт
MAX3222EIDBRG4
Код товара: 37097
Артикул: c8fac9503f92
0,00 ₽
В корзину
RLB0913-473K
наличие: 2000 шт
RLB0913-473K
Код товара: 36645
Артикул: c82024dc54da
0,00 ₽
В корзину
MAX3222CPWRG4
наличие: 0 шт
MAX3222CPWRG4
Код товара: 37066
Артикул: e47e9f49a9cc
0,00 ₽
В корзину
MAX3232ECD
наличие: 0 шт
MAX3232ECD
Код товара: 38327
Артикул: b2b04d2d4c99
0,00 ₽
В корзину
2095-160-BLF, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors 08x8mm, 1600V HV Axial GDT
наличие: шт
2095-160-BLF, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors 08x8mm, 1600V HV Axial GDT
Код товара: 30680
Артикул: 2095-160-BLF
340,00 ₽
В корзину
FS500R17OE4DB81BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 500 А, 1.95 В, 150 °C, Module
наличие: шт
FS500R17OE4DB81BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 500 А, 1.95 В, 150 °C, Module
Код товара: 25023
Артикул: FS500R17OE4DB81BPSA1
193800,00 ₽
В корзину
GD75PIY120C6S, IGBT модуль 1200B 75А
наличие: шт
GD75PIY120C6S, IGBT модуль 1200B 75А
Код товара: 8524
Артикул: GD75PIY120C6S
8960,00 ₽
В корзину