MGC75D12A1-251H3, Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В

Код товара: 9306
Артикул: MGC75D12A1-251H3
Характеристики
Производитель TechSem
Вес, г 160
смотреть полные характеристики
3970,00 
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В

Основные параметры
Вес, г 160
PM75CVA120 75A 1200B модуль 6 IGBT (3 поколение, B серия) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 5817
Артикул:
12550,00 
В корзину
SD150, Капсюль телефонный, 120 Ом (аналог DR-904, ТДК-1)
наличие: шт
Код товара: 4448
Артикул: SD150
Соединительная коробка JB-6P (автомобильная)
наличие: шт
Код товара: 4583
Артикул:
15570,00 
В корзину
LD-BZEN-1205, Оповещатель электромагнитный диа 12,0×9,0мм 5В 85дБ
наличие: шт
Код товара: 7177
Артикул: LD-BZEN-1205
MG450HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] =GD400HFF120C2S
наличие: шт
Код товара: 3972
Артикул: MG450HF12TFC2
11240,00 
В корзину