Каталог

MGC75D12A1-251H3, Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В

Код товара: 9306
Артикул: MGC75D12A1-251H3
В сравнение В избранное
MGC75D12A1-251H3, Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В
MGC75D12A1-251H3, Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В
Характеристики
Производитель TechSem
Вес, г 160
смотреть полные характеристики
3970,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В

Основные параметры
Вес, г 160
BCMS201209A300 6A, BCMS201209A300 (BLM21PG300SN1D), ферритовый помехоподавляющий фильтр для силовых линий , 6 А, 30 Ом, 100 МГц, 0805
наличие: шт
BCMS201209A300 6A, BCMS201209A300 (BLM21PG300SN1D), ферритовый помехоподавляющий фильтр для силовых линий , 6 А, 30 Ом, 100 МГц, 0805
Код товара: 10119
Артикул: BCMS201209A300 6A, BCMS201209A300 (BLM21PG300SN1D)
0,60 ₽
В корзину
MMBT5551, Транзистор, NPN, 150В, 600мА [SOT-23-3]
наличие: шт
MMBT5551, Транзистор, NPN, 150В, 600мА [SOT-23-3]
Код товара: 34572
Артикул:
22,00 ₽
В корзину
MJW21193G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-247]
наличие: шт
MJW21193G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-247]
Код товара: 34050
Артикул: MJW21193G
760,00 ₽
В корзину
561R1DF0D10, Cap Ceramic 0.001uF 1000V N2800 10%( 9.4 X 4mm) Radial Disc 6.4mm 105°C Bulk
наличие: шт
561R1DF0D10, Cap Ceramic 0.001uF 1000V N2800 10%( 9.4 X 4mm) Radial Disc 6.4mm 105°C Bulk
Код товара: 31532
Артикул: 561R1DF0D10
190,00 ₽
В корзину
2SC1815Y, Транзистор NPN 50В 0.15А [TO-92]
наличие: шт
2SC1815Y, Транзистор NPN 50В 0.15А [TO-92]
Код товара: 9847
Артикул: 2SC1815Y
48,00 ₽
В корзину