Каталог

MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Код товара: 9227
Артикул: MGC50D12A1-251H3
В сравнение В избранное
MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
Характеристики
Производитель TechSem
Вес, г 160
смотреть полные характеристики
5240,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Основные параметры
Вес, г 160
X4C25J1-03G
наличие: 533 шт
X4C25J1-03G
Код товара: 38815
Артикул: d7ea27ae249c
1,00 ₽
В корзину
MIAA-HB12ME-600N
наличие: шт
MIAA-HB12ME-600N
Код товара: 9385
Артикул:
18760,00 ₽
В корзину