MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Код товара: 9227
Артикул: MGC50D12A1-251H3
Характеристики
Производитель TechSem
Вес, г 160
смотреть полные характеристики
5240,00 
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Основные параметры
Вес, г 160
Контроллер AlliedTelesis AT-UWC-60-APL
наличие: шт
Код товара: 9880
Артикул: AT-UWC-60-APL
134275,00 
В корзину
Точка доступа Korenix JetWave 3220-M12
наличие: шт
Код товара: 24542
Артикул: "JetWave 3220-M12"
DFI100HF17DE1, IGBT модуль, замена для SKM145GB176D-SEMITRANS2
наличие: шт
Код товара: 2493
Артикул: DFI100HF17DE1
3800,00 
В корзину
Солнечная батарея ComNet NWSPK1
наличие: шт
Код товара: 18579
Артикул: NWSPK1
692932,00 
В корзину
CM75E3U-12H 75A 600В модуль 3 IGBT (3 поколение, U серия) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 5157
Артикул:
3790,00 
В корзину
CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 1700В 450А T серия NX типа
наличие: шт
Код товара: 2124
Артикул: CM450DX-34T#310G
10380,00 
В корзину
C0603C680J5GACTU, Ceramic Capacitor 68pF, 50VDC, 0603, A±5 %
наличие: шт
Код товара: 33320
Артикул: C0603C680J5GACTU
C0603C471J1GACTU, Ceramic Capacitor 4000pcs (Reel) 470pF, 100VDC, 0603, A±5 %
наличие: шт
Код товара: 33212
Артикул: C0603C471J1GACTU