MG450HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] =GD400HFF120C2S

Код товара: 3972
Артикул: MG450HF12TFC2
Характеристики
Производитель Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
11240,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
кол-во в упаковке 30
Вес, г 345
MG300HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1700Вт [C2] = MG300HF12MIC2 = CM300DY-24A Mitsubishi = SKM3
наличие: шт
Код товара: 3930
Артикул: MG300HF12TLC2
8320,00 
В корзину
B66358-G500-X187, N87, ETD29/16/10 (1 шт.), Сердечник ферритовый
наличие: шт
Код товара: 11526
Артикул: B66358-G500-X187, N87, ETD29/16/10 (1 шт.)
IGCM10F60GAXKMA1, 3х фазный IGBT модуль, 600В, 10А [DIP 36×21]
наличие: шт
Код товара: 11615
Артикул:
1220,00 
В корзину
DFI450HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 450А), IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой
наличие: шт
Код товара: 6965
Артикул: DFI450HF17I4RE1
15820,00 
В корзину
B66358-G-X187, N87, ETD29/16/10 (1 шт.), Сердечник ферритовый
наличие: шт
Код товара: 11613
Артикул: B66358-G-X187, N87, ETD29/16/10 (1 шт.)
IGCM10F60GAXKMA1, 3х фазный IGBT модуль, 600В, 10А [DIP 36×21]
наличие: шт
Код товара: 1410
Артикул: IGCM10F60GAXKMA1
1220,00 
В корзину