MG450HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] =GD400HFF120C2S

Код товара: 3972
Артикул: MG450HF12TFC2
Характеристики
Производитель Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
11240,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
кол-во в упаковке 30
Вес, г 345
Чип nVidia G73-N-A2
наличие: шт
Код товара: 3962
Артикул:
DFI200HF17DF1, Модули IGBT, 200 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
наличие: шт
Код товара: 2681
Артикул: DFI200HF17DF1
8140,00 
В корзину