Производитель	Taiwan Semiconductor
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В	800
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В	800
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А	0.8
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А	10

Основные параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В	800
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В	800
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А	0.8
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А	10
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В	1.7
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А	0.2
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В	1.2
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс	10
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс	10
Время включения tвкл.,мкс	2
Рабочая температура,С	-40…125
Корпус	to92
Вес, г	0.0288

MCR100-8 A1G, Тиристор 0.8А 600В [TO-92]