Каталог

KTC9012S-H-RTK/P, Биполярный транзистор, PNP, -30В, -500 мА, 350 мВт, 150 МГц [SOT-23]

Код товара: 32860
Артикул: KTC9012S-H-RTK/P
В сравнение В избранное
KTC9012S-H-RTK/P, Биполярный транзистор, PNP, -30В, -500 мА, 350 мВт, 150 МГц [SOT-23]
KTC9012S-H-RTK/P, Биполярный транзистор, PNP, -30В, -500 мА, 350 мВт, 150 МГц [SOT-23]
Характеристики
Производитель Korea Electronics
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
смотреть полные характеристики
18,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 144
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.35
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 5.1 МОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 5.1 МОм, 5%, Резистор углеродистый
Код товара: 19856
Артикул: CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 5.1 МОм, 5%
7,00 ₽
В корзину
MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]
наличие: шт
MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]
Код товара: 33074
Артикул: MJ11032G
2200,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 1.8 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 1.8 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 33030
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 1.8 кОм, 5%
7,00 ₽
В корзину