Каталог

KTC8050S-D-RTK/P, Биполярный транзистор, NPN, 30В, 800 мА, 350 мВт, 120 МГц [SOT-23]

Код товара: 32824
Артикул: KTC8050S-D-RTK/P
В сравнение В избранное
KTC8050S-D-RTK/P, Биполярный транзистор, NPN, 30В, 800 мА, 350 мВт, 120 МГц [SOT-23]
KTC8050S-D-RTK/P, Биполярный транзистор, NPN, 30В, 800 мА, 350 мВт, 120 МГц [SOT-23]
Характеристики
Производитель Korea Electronics
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8
смотреть полные характеристики
5,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Биполярный транзистор, NPN, 35 В, 0.8 А, 0.625 Вт
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 120
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.35
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
KT854Б (2005г), Транзистор NPN, 10А, 300В, h21e =20 [КТ-28-2 / TO-220] (BU408)
наличие: шт
KT854Б (2005г), Транзистор NPN, 10А, 300В, h21e =20 [КТ-28-2 / TO-220] (BU408)
Код товара: 32716
Артикул: KT854Б (2005г)
61,00 ₽
В корзину
Индуктивность, 0,47 мкГн, 0,65 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-R47K,± 10%
наличие: шт
Индуктивность, 0,47 мкГн, 0,65 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-R47K,± 10%
Код товара: 29725
Артикул: 4032 индук 0,47мкГн\ 0,65А\AXI2,5x 6,5\\\\\EC24\
25,00 ₽
В корзину
Индуктивность, 1,0млГн, 0,060 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-102K,± 10%
наличие: шт
Индуктивность, 1,0млГн, 0,060 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-102K,± 10%
Код товара: 29887
Артикул: 4021 индук 1,0млГн\0,060А\AXI2,5x 6,5\\\\\EC24\
25,00 ₽
В корзину