Каталог

GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H, GD800HFX170C3S

Код товара: 3800
Артикул: GD800HFX170A3S
В сравнение В избранное
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H, GD800HFX170C3S
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H, GD800HFX170C3S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля одиночный транзистор
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
66120,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля одиночный транзистор
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах