GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50

Код товара: 3756
Артикул: GD650HFX170P1S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 650
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
27310,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 650
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Вес, г 200
М1000НМ-12 К16х8х6, Феррит
наличие: шт
Код товара: 26724
Артикул: М1000НМ-12 К16х8х6
GD150CUY120C1S, Модуль IGBT 1200В 150А
наличие: шт
Код товара: 7717
Артикул: GD150CUY120C1S
4680,00 
В корзину
GD300HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 395А
наличие: шт
Код товара: 8072
Артикул: GD300HFU120C2S
12270,00 
В корзину